核心提示： 上证报中国证券网讯（记者 黎灵希）据希荻微官微，近日公司推出两款高性能单通道低边开关芯片产品：HL85103L和HL85105L。这两款芯片均集成了NMOS功率FET，适用于电阻或电感负载，一侧连接到电池的应用场景。
上证报中国证券网讯（记者 黎灵希）据希荻微官微，近日公司推出两款高性能单通道低边开关芯片产品：HL85103L和HL85105L。这两款芯片均集成了NMOS功率FET，适用于电阻或电感负载，一侧连接到电池的应用场景。希荻微表示，作为一家模拟及电源管理的集成电路设计商，公司始终专注于高效节能及智能系统。此次推出的HL85103L和HL85105L高性能单通道低边开关芯片，凭借其卓越的保护功能、高效性与通用性、宽结温范围以及紧凑型封装等优势，在管理电机速度调节、温度控制和燃油喷射等关键汽车功能方面表现出色，旨在为广大用户带来更加稳定和可靠的性能体验。
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